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FIB-SEM电子显微镜
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发布日期:2019-10-30
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详细介绍

型号:FEI-Scios 2 Hivac


主要参数:离子束分辨小于3nm@30KV

电子束分辨率: workspace<1nm@15KV ,

样品XY方向移动范围不低于100mm,Z方向不低于50mm,可绕Z轴旋转

任意角度倾斜角T范围不小于-4到70度,换样时间低于3.5分钟。

用途及功能:

扫描电镜主要用于观察、分析、记录样品的微观形貌,聚焦离子束用于样品微

纳米尺度下的切割、刻蚀,能谱仪主要用于样品元素分析。

TEM透射样品制备:对于表面薄膜、涂层、粉末大颗粒,原位TEM芯片加工,晶界界面以及相界面等精准定位与加工TEM制样;

SEM/EDS剖面分析:可进行二次电子形貌分析且图像分辨率高、背散射电子衬度分析、EDS能谱分析;

EBSD电子背散射衍射分析:可进行晶体取向成像、显微织构、界面等分析,分析速度快,标定准确度高;

微纳结构加工:在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下,可以进行各种微纳结构的搬运、各种显微结构形状或图案的加工;


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