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ALD薄膜沉积系统
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发布日期:2019-10-30
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详细介绍

TFS200-106 ALD原子层沉积

技术参数:

原子层淀积,功率4kW,载气:N2;生长精度:0.1nm,反应温度:25~500C,样品尺寸:20-200mm,生长方式:热沉积/等离子体生长;热源2个,温度25~300C;冷源3个

主要功能及应用范围:

制备氧化物,如氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽等,制备氮化物,如氮化钛、氮化钽等

微纳电子学、纳米材料及相关器件等领域,可作为集成电路中MIM电容器涂层,防反射包覆层,多层结构光学电介质,有机发光显示器反湿涂层以及应用在太阳能电池和MEMS微机电系统等领域。


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