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PECVD
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发布日期:2019-10-30
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HQ-8B

反应室真空5×10-4Pa。

极限真空:5E-6 Torr。

载片台可加温100~450度。

沉积材料:SiO2、Si3N4、GeO2 可进行氘离子掺杂。

工艺温度:最高400℃。

样品尺寸:4英寸向下兼容。

淀积不均匀性:≤±5%。

等离子增强化学气相淀积设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。


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