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电子束蒸发镀膜系统
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发布日期:2019-10-30
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详细介绍

极限真空:极限真空度:≤3×10-5 Pa;系统从大气(暴露大气时充干燥氮气)开始抽气,20 分钟可达到真空度 3×10-4 Pa;基片自转速率: 5-20rmp;基片加热最高温度 800±1℃(实用温度 400℃);基片与蒸发源之间距离 300-350mm 可调;

电子枪参数:电源最大功率 10kW;6 个水冷坩埚,每个容积为 40cc;

石英晶体振荡膜厚监控仪:实现电子束蒸发源蒸发速率闭环控制;

蒸发源材料种类:Ti、Cr、Ni、Al、Ag、Cu、Au

样品要求:最大 4 英寸衬底 1 片并向下兼容;加热超过 80℃时,禁用

光刻胶作为掩摸。


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