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干法刻蚀
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发布日期:2019-10-30
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ICP刻蚀

刻蚀精度:0.35微米;

主要刻蚀介质:Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.

刻蚀尺寸:6英寸、4英寸。均匀性小于5%。


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