电子束蒸发镀膜系统_无锡英诺赛思科技有限公司

极限真空：极限真空度：≤3×10-5 Pa；系统从大气（暴露大气时充干燥氮气）开始抽气，20 分钟可达到真空度 3×10-4 Pa；基片自转速率： 5-20rmp；基片加热最高温度 800±1℃（实用温度 400℃）；基片与蒸发源之间距离 300-350mm 可调；

电子枪参数：电源最大功率 10kW；6 个水冷坩埚，每个容积为 40cc；

石英晶体振荡膜厚监控仪：实现电子束蒸发源蒸发速率闭环控制；

蒸发源材料种类：Ti、Cr、Ni、Al、Ag、Cu、Au

样品要求：最大 4 英寸衬底 1 片并向下兼容；加热超过 80℃时，禁用

光刻胶作为掩摸。